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电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是什么？
作者：紫南发布时间：2023-02-16浏览：458
电磁炉
中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同。
IGBT(
Insulated
Gate
Bipolar
Transistor
)，
绝缘栅双极型晶体管
。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流（A），如上述型号20表示额定工作电流为
20A
；后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大
关断电压
（V），如上述120表示最大关断电压为1200V；最后一位数字是设计序号。
扩展资料：
IGBT
的
静态特性
主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT
的伏安特性是指以栅源电压Ugs
为
参变量
时，
漏极
电流与
栅极
电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs
的控制，Ugs
越高，
Id
越大。它与GTR
的输出特性相似.也可分为饱和区1
、放大区2
和击穿特性3
部分。在
截止状态
下的IGBT
，
正向电压
由
J2
结承担，
反向电压
由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向
阻断电压
可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT
的某些应用范围。
IGBT
的转移特性是指输出漏极电流Id
与栅源电压Ugs
之间的关系曲线。它与MOSFET
的转移特性相同，当栅源电压小于
开启电压
Ugs(th)
时，IGBT
处于关断状态。在IGBT
导通后的大部分漏极电流范围内，
Id
与Ugs呈
线性关系
。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为
15V
左右。
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