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开关状态
作者：烟栀发布时间：2023-02-28浏览：472
以MOSFET为例
硬开关:MOS管开通或关断瞬间，Vds和id不为零，存在交叠区间cross time，根据p=v*i，会带来开关损耗。当开关频率f很高时，开关损耗在总损耗中比重会急剧增大。
软开关:利用谐振技术，在MOS管开通或关断前，将部分能量转移到其他地方，实现vds或id其中一个为零，这样开关损耗p=v*i=0。根据软开关实现的方法不同，有ZVS，ZCS等电路。
通态压降，是指开关器件导通时的两端电压差。对于MOS管，Vds=id*Rds(on)，对于IGBT或BJT，指的是Vce(sat)
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